구 매 규 격 서

용도

금속 및 산화물 박막을 형성하는 설비로 고진공 Process Chamber 와 Magnetron Cathode 증착 Source를 이용하여 4inch Wafer에 수 nanometer에서 수 micrometer의 박막을 형성할 수 있다.

2. 설비 사양서

Process Chamber (Sputter)
Chamber		Stainless Steel Circular Shape	1Set
Vacuum Pump	Low Vacuum	Rotary Pump [750L/min 급]	1ea
	High Vacuum	Turbo Molecular Pump [800L/sec 급]	1ea
Valve		Main - Pneumatic Type (ISO160) Throttle - Auto Pressure Control Type	1Set
Gauge		Pirani Gauge (Low Vacuum) Cold Cathode Gauge (High Vacuum) Baratron Gauge(0.1 Torr) ATM Sensor	2ea 1ea 1ea 1ea
Substrate		Max. 4inch Wafer	1Set
Rotation Unit		5 ~ 20 RPM Adjustable Rotation Using O-Ring Sealed and Motor	1Set
Z-motion Unit Stroke		≤ 80mm	1Set
Heating Unit		Max. 900℃ on Substrate / SiCHeater	1Set
Gas Supply	MFC	Ar, O2, N2	3Set
Sputtering Source	SputterGun	2 inch Magnetron Sputtering Gun Down Sputter, Tilt Type Shutter Unit	3Set
	PowerSupply	RF Power 600W & Matching Box Auto Switching Unit	1Set
System Controller
Fully Automation _ PLC Based Touch Penal Control			1Set
Display and Control the All Process Conditions in real time
Process Recipe including All Process Parameter
Data, Event, Alarm Logging
Safety
All Safety Interlock (Electrically & Program)			1Set

3. 설비의 성능

System Performance
Ultimate Vacuum	Process	< 2.0E-7 Torr within 2 hour
Uniformity	Deposition	≤ 1% @ 2,000Å within 4inch Wafer
	Heating	≤ 1% @ 800℃ within 4inch Wafer

4. 기타 조건(Remark)

1. 제품 공급업체는 해당 시스템 구축에 관련된 기술지원 및 발주 전에 협의하고 설치에 만전을 기하여야 하며 운영 및 관리자를 대상으로 H/W 구축 및 운용 교육을 제공하여야 한다.

2. 안정적인 유지보수를 위해 제조사 물품공급 및 기술지원확약서를 계약시 제출해야 한다.

3. 제품의 보증기간은 1년 무상보증으로 함.

4. 납품기한 : 계약 후 120일 이내